1100-1650nm 50um InGaAs APD雪崩光電二極管單模尾纖

產品概述：

GY-APD-50-PF-S是一種銦鎵砷雪崩光電二極管，專為高性能光通信和光電探測設計。這種APD管子具有50微米的光敏面積，具有2G的帶寬。

關鍵詞： APD Photodiode

產品型號：GY-APD-50-PF-S

技術支持：黃工 13427781756 (微信同號，可掃碼）

Email: huangqianyuan@glgyzn.com

由于產品的規(guī)格型號參數太多，所以頁面上沒有您要找的參數，并不代表我們沒有相應的產品；添加微信，直接問吧這樣更高效！

產品介紹

GY-APD-50-PF-S是一種銦鎵砷雪崩光電二極管，專為高性能光通信和光電探測設計。這種APD管子具有50微米的光敏面積，具有2G的帶寬。

參數名稱	符號	最小	最大	單位
工作溫度	Top	-40	+85	?C
貯存溫度	TSTG	-40	+85	?C
正向電流	IF	——	5	mA
反向電流	VR	——	45	V

特性參數	符號	測試條件	最小	典型	最大	單位
工作波長	λ	——	1100	——	1650	nm
雪崩電壓	VBR	——	——	40	45	V
響應度	R	VR=5V, λ=1310nm	0.70	0.80	——	A/W
暗電流	Id	φe=0μW	——	1	10	nA
響應時間	Rt	λ=1310nm, M=10 Rj=50Ω	——	0.30	0.50	ns
帶寬	BW	M=10, Rj=50Ω	2.0	——	——	GHz
結電容	C	M=10,φe=1μW, f=1MHz	——	0.60	1.0	pF
光回波損耗	RL	λ=1310nm	40	——	——	dB