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Si APD 400-1100nm 光電二極管 800μm 1064nm增強(qiáng)

產(chǎn)品概述：

GY-SI-APD-800-TO46是一款硅基可見(jiàn)光波段，1064nm增強(qiáng)的雪崩光電二極管，非常適合用于1064nm光探測(cè)。

關(guān)鍵詞： 1064光電探測(cè)器 Si 1064

產(chǎn)品型號(hào)：GY-SI-APD-800-TO46

技術(shù)支持：黃工 13427781756 (微信同號(hào)，可掃碼）

Email: huangqianyuan@glgyzn.com

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產(chǎn)品介紹

GY-SI-APD-800-TO46是一款硅基可見(jiàn)光波段，1064nm增強(qiáng)的雪崩光電二極管，非常適合用于1064nm光探測(cè)。

參數(shù)名稱	符號(hào)	最小	最大	單位
APD 偏置電壓	VPD	——	0.98VBR	V
工作溫度	TC	-45	+85	?C
貯存溫度	TSTG	-45	+100	?C
正向電流	IF	——	1	mA

特性參數(shù)	符號(hào)	測(cè)試條件	最小	典型	最大	單位
光譜響應(yīng)范圍	λ	——	400 ~ 1100			nm
光敏面直徑	φ	——	800			μm
響應(yīng)度	Re	λ=1064nm,φe=1μw, M=100	30	36	——	A/W
響應(yīng)時(shí)間	TS	f=1MHz,RL=50Ω,λ=1064nm	——	2.0	——	ns
暗電流	Id	M=100	——	5.0	12.0	nA
總電容	C	M=100, f=1MHz	——	2.5	4.0	pF
反向擊穿電壓	VBR	IR=10μA	350	——	460	V
擊穿電壓溫度系數(shù)	δ	Tc=-40℃～85℃	——	2.4	3.0	V/℃